销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Arrow(艾睿) | SIR802DP-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20 Volts 30 Amps 27.7 Watts | 3000+:¥4.17 6000+:¥3.97 15000+:¥3.8201 30000+:¥3.7 75000+:¥3.571+:¥8.28 10+:¥6.61 100+:¥5.11 500+:¥4.51 1000+:¥4.41 3000+:¥4.21 6000+:¥4.05 9000+:¥3.95 24000+:¥3.85991+:¥9.7099 10+:¥7.75 100+:¥5.991+:¥4.59 |
 Avnet Express | SIR802DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel | 3,000 : $0.6308 6,000 : $0.5857 12,000 : $0.5541
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 Digi-Key 得捷电子 | SIR802DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8 | 6,000 : $0.5453 3,000 : $0.574
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 Digi-Key 得捷电子 | SIR802DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8 | Obsolete |
 Digi-Key 得捷电子 | SIR802DP-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20 Volts 30 Amps 27.7 Watts | 3000+:¥4.17 6000+:¥3.97 15000+:¥3.8201 30000+:¥3.7 75000+:¥3.57 |
 element14 Asia-Pacific | SIR802DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N CH DIO 20V 30A PPK SO8 RoHS : Compliant | 1 : $10.3 10 : $7.7 100 : $6.9 250 : $6.0 500 : $5.4 1,000 : $4.8
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 element14 e络盟电子 | SIR802DP-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20 Volts 30 Amps 27.7 Watts | 3000+:¥4.17 6000+:¥3.97 15000+:¥3.8201 30000+:¥3.7 75000+:¥3.571+:¥8.28 10+:¥6.61 100+:¥5.11 500+:¥4.51 1000+:¥4.41 3000+:¥4.21 6000+:¥4.05 9000+:¥3.95 24000+:¥3.85991+:¥9.7099 10+:¥7.75 100+:¥5.99 |
 Future Electronics | SIR802DP-T1-GE3 | Vishay Intertechnologies | Single N-Channel 20 V 0.005 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8 RoHS : Compliant | 3,000 : $0.6055
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 Mouser 贸泽电子 | SIR802DP-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20 Volts 30 Amps 27.7 Watts | 3000+:¥4.17 6000+:¥3.97 15000+:¥3.8201 30000+:¥3.7 75000+:¥3.571+:¥8.28 10+:¥6.61 100+:¥5.11 500+:¥4.51 1000+:¥4.41 3000+:¥4.21 6000+:¥4.05 9000+:¥3.95 24000+:¥3.8599 |
 立创商城 | SIR802DP-T1-GE3 | VBsemi(台湾微碧) | MOS(场效应管) | 1+:¥3.36 10+:¥2.46 30+:¥2.3 100+:¥1.917 500+:¥1.854 1000+:¥1.818
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 立创商城 | SIR802DP-T1-GE3 | VISHAY(威世) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A(Tc) 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):27.7W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥12.31 10+:¥9.6 30+:¥9.43 100+:¥9.26
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