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SIR802DP-T1-GE3 /Single N-Channel 20 V 0.005 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
SIR802DP-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

系列:TrenchFET®

FET类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):30A(Tc)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):32nC @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):1785pF @ 10V

Vgs(最大值):±12V

功率耗散(最大值):4.6W(Ta),27.7W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):5 毫欧 @ 10A,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PowerPAK® SO-8

封装形式Package:SOIC-8

极性Polarity:N-CH

漏源极击穿电压VDSS:20V

连续漏极电流ID:30A

漏源极导通电阻RDS(ON):5mOhms

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商SIR802DP-T1-GE3
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深圳市微碧半导体有限公司SIR802DP-T1-GE3-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
18118747668
许小姐Email:Reeta@vbsemi.cn询价
深圳市芯幂科技有限公司SIR802DP-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SIR802DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049
陈敏Email:3004201508@qq.com询价
集好芯城SIR802DP-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783
杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SIR802DP-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392
陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城SIR802DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司SIR802DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SIR802DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SIR802DP-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司SIR802DP-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
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深圳市赛美科科技有限公司SIR802DP-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SIR802DP-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
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深圳市斌腾达科技有限公司SIR802DP-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市大源实业科技有限公司SIR802DP-T1-GE3深圳市龙岗区坂田街道山海商业广场C座7070755-84862070
15302619915,13762584085
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深圳市宇浩扬科技有限公司SIR802DP-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
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深圳诚思涵科技有限公司SIR802DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
15302723671/15820783671
曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SIR802DP-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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深圳市毅创腾电子科技有限公司SIR802DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869
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深圳市华芯盛世科技有限公司SIR802DP-T1-GE3深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
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万三科技(深圳)有限公司SIR802DP-T1-GE3深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-23763516,18818598465
18818598465
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SIR802DP-T1-GE3N-Channel 20-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO512.12 Kbytes共13页SIR802DP-T1-GE3的PDF下载地址
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SIR802DP-T1-GE3的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)
SIR802DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20 Volts 30 Amps 27.7 Watts3000+:¥4.17
6000+:¥3.97
15000+:¥3.8201
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75000+:¥3.571+:¥8.28
10+:¥6.61
100+:¥5.11
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24000+:¥3.85991+:¥9.7099
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100+:¥5.991+:¥4.59
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Avnet Express
SIR802DP-T1-GE3Vishay SiliconixN-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel3,000 : $0.6308
6,000 : $0.5857
12,000 : $0.5541
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SIR802DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-86,000 : $0.5453
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SIR802DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8Obsolete
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SIR802DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20 Volts 30 Amps 27.7 Watts3000+:¥4.17
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元器件资料网-element14 Asia-Pacific的LOGO
element14 Asia-Pacific
SIR802DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N CH DIO 20V 30A PPK SO8
RoHS : Compliant
1 : $10.3
10 : $7.7
100 : $6.9
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元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
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SIR802DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20 Volts 30 Amps 27.7 Watts3000+:¥4.17
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元器件资料网-Future Electronics的LOGO
Future Electronics
SIR802DP-T1-GE3Vishay IntertechnologiesSingle N-Channel 20 V 0.005 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
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3,000 : $0.6055
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
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立创商城
SIR802DP-T1-GE3VBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)1+:¥3.36
10+:¥2.46
30+:¥2.3
100+:¥1.917
500+:¥1.854
1000+:¥1.818
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
SIR802DP-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A(Tc) 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):27.7W(Tc) 类型:N沟道1+:¥12.31
10+:¥9.6
30+:¥9.43
100+:¥9.26