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SIS434DN-T1-GE3 /MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
SIS434DN-T1-GE3的规格信息
SIS434DN-T1-GE3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:35 A

Rds On-漏源导通电阻:6.3 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:40 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:52 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET, PowerPAK

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.04 mm

长度:3.3 mm

系列:SIS

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.3 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:60 S

下降时间:12 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:15 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:25 ns

典型接通延迟时间:20 ns

零件号别名:SIS434DN-GE3

供应商SIS434DN-T1-GE3
SIS434DN-T1-GE3的供应商,可免费索样
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深圳市威雅利发展有限公司SIS434DN-T1-GE3华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120
韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SIS434DN-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城(深圳)科技有限公司SIS434DN-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
集好芯城SIS434DN-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783
杨先生Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司SIS434DN-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SIS434DN-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861
雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SIS434DN-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SIS434DN-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市坤融电子有限公司SiS434DN-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SIS434DN-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
曾先生Email:1153689911@qq.com询价
集好芯城SIS434DN-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SIS434DN-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
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深圳市水星电子有限公司SIS434DN-T1-GE3地址1:深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2:深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
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深圳市宇浩扬科技有限公司SIS434DN-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
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深圳市科思奇电子科技有限公司SIS434DN-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”
张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司SIS434DN-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779
林炜东,林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市兴中芯科技有限公司SIS434DN-T1-GE3深圳市福田区华强北路1015号赛格科技园4栋中8A6513113670037
13113670037
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深圳市芯泽盛世科技有限公司SIS434DN-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司SIS434DN-T1-GE3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480
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深圳市斌腾达科技有限公司SIS434DN-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113
赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
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SIS434DN-T1-GE3N-Channel 40-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO563.9 Kbytes共13页SIS434DN-T1-GE3的PDF下载地址
SIS434DN-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics
SIS434DN-T1-GE3Siliconix / VishayMOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8+3000:$0.79
+6000:$0.78
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Arrow(艾睿)
SIS434DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V 35A 52W 7.6mohm @ 10V1+:¥8.95
10+:¥7.89
25+:¥7.12
100+:¥6.23
250+:¥5.47
500+:¥4.85
1000+:¥3.84011+:¥6.8401
10+:¥5.5199
100+:¥4.24
500+:¥3.74
1000+:¥3.66
3000+:¥3.49
6000+:¥3.36
9000+:¥3.28
24000+:¥3.17993000+:¥2.93000+:¥2.50011+:¥5.62
10+:¥5.26
50+:¥4.911+:¥3.07
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Avnet Express
SIS434DN-T1-GE3Vishay Semiconductors- Tape and Reel3,000 : $0.5
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Avnet Express
SIS434DN-T1-GE3Vishay SiliconixN-CH POWERPAK1212 BWL 40V 7.6MOHM@10V - Tape and Reel3,000 : $0.3981
14,999 : $0.3879
29,999 : $0.3849
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Chip1Stop
SIS434DN-T1-GE3Vishay IntertechnologiesUnidentified3,000 : $0.411
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ChipOneStop
SIS434DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V 35A 52W 7.6mohm @ 10V1+:¥8.95
10+:¥7.89
25+:¥7.12
100+:¥6.23
250+:¥5.47
500+:¥4.85
1000+:¥3.84011+:¥6.8401
10+:¥5.5199
100+:¥4.24
500+:¥3.74
1000+:¥3.66
3000+:¥3.49
6000+:¥3.36
9000+:¥3.28
24000+:¥3.17993000+:¥2.9
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Digi-Key 得捷电子
SIS434DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V 35A 52W 7.6mohm @ 10V1+:¥8.95
10+:¥7.89
25+:¥7.12
100+:¥6.23
250+:¥5.47
500+:¥4.85
1000+:¥3.8401
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Digi-Key 得捷电子
SIS434DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-810 : $1.034
1 : $1.16
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Element_sh
SIS434DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V 35A 52W 7.6mohm @ 10V1+:¥8.95
10+:¥7.89
25+:¥7.12
100+:¥6.23
250+:¥5.47
500+:¥4.85
1000+:¥3.84011+:¥6.8401
10+:¥5.5199
100+:¥4.24
500+:¥3.74
1000+:¥3.66
3000+:¥3.49
6000+:¥3.36
9000+:¥3.28
24000+:¥3.17993000+:¥2.93000+:¥2.50011+:¥5.62
10+:¥5.26
50+:¥4.91
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element14 Asia-Pacific
SIS434DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFETN CH40V35APOWERPAK
RoHS : Compliant
1 : $4.8
10 : $4.5
50 : $4.2
100 : $3.8
500 : $3.6
1,000 : $3.2
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Future Electronics
SIS434DN-T1-GE3Vishay IntertechnologiesSingle N-Channel 40 V 0.0076 Ohm 52 W SMT Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
RoHS : Compliant
3,000 : $0.3667
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Future(富昌)
SIS434DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V 35A 52W 7.6mohm @ 10V1+:¥8.95
10+:¥7.89
25+:¥7.12
100+:¥6.23
250+:¥5.47
500+:¥4.85
1000+:¥3.84011+:¥6.8401
10+:¥5.5199
100+:¥4.24
500+:¥3.74
1000+:¥3.66
3000+:¥3.49
6000+:¥3.36
9000+:¥3.28
24000+:¥3.17993000+:¥2.93000+:¥2.5001
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Mouser 贸泽电子
SIS434DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V 35A 52W 7.6mohm @ 10V1+:¥8.95
10+:¥7.89
25+:¥7.12
100+:¥6.23
250+:¥5.47
500+:¥4.85
1000+:¥3.84011+:¥6.8401
10+:¥5.5199
100+:¥4.24
500+:¥3.74
1000+:¥3.66
3000+:¥3.49
6000+:¥3.36
9000+:¥3.28
24000+:¥3.1799
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Mouser 贸泽电子
SIS434DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-81:¥8.5315
10:¥7.5484
100:¥5.9664
500:¥4.6217
1,000:¥3.6499
3,000:¥3.3109
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Rutronik
SIS434DN-T1-GE3Vishay IntertechnologiesN-CH 40V 35A 7,6mOhm PPAK1212 RoHSconf价格未公开
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Verical
SIS434DN-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 17.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R$0.4246
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
SIS434DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V 35A 52W 7.6mohm @ 10V1+:¥8.95
10+:¥7.89
25+:¥7.12
100+:¥6.23
250+:¥5.47
500+:¥4.85
1000+:¥3.84011+:¥6.8401
10+:¥5.5199
100+:¥4.24
500+:¥3.74
1000+:¥3.66
3000+:¥3.49
6000+:¥3.36
9000+:¥3.28
24000+:¥3.17993000+:¥2.93000+:¥2.50011+:¥5.62
10+:¥5.26
50+:¥4.911+:¥3.071+:¥3.1799
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立创商城
SIS434DN-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):35A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:7.6mΩ @ 16.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):52W(Tc) 类型:N沟道1+:¥5.61
10+:¥4.17
30+:¥3.91
100+:¥3.5308
500+:¥3.4144
1000+:¥3.3659