Rohs：Contains lead / RoHS non-compliant

标准包装：3,000

FET 型 ：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：3.2A

Rds（最大）@ ID，VGS：110 mOhm @ 2.2A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：1V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：9.6nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：380pF @ 25V

功率 - 最大：1.1W

安装类型 ：Surface Mount

包/盒 ：SOT-23-6

供应商器件封装：SOT-23-6

包装材料 ：Tape & Reel (TR)

FET特点：Logic Level Gate

安装类型：Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：3.2A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250µA

封装/外壳：SOT-23-6

供应商设备封装：SOT-23-6

其他名称：ZXM62N03E6DKR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：110 mOhm @ 2.2A, 10V

FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：1.1W

标准包装：1

漏极至源极电压（Vdss）：30V

输入电容（Ciss ） @ VDS：380pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：9.6nC @ 10V