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TK110U65Z,RQ /DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ
TK110U65Z,RQ的规格信息
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SeriesDTMOSVI

PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®

FET TypeN-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)650 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C24A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1.02mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40 nC @ 10 V

Vgs (Max)±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2250 pF @ 300 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)190W (Tc)

Operating Temperature150°C

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device PackageTOLL

Package / Case8-PowerSFN

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TK110U65Z,RQ(S功率场效应管, MOSFET, N通道, 650 V, 24 A, 0.086 ohm, TO-LL, 表面安装TOSHIBATOSHIBA的LOGO489.62 Kbytes共10页TK110U65Z,RQ(S的PDF下载地址
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