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TK040N65Z,S1F /MOSFET Power MOSFET 57A 360W 650V
TK040N65Z,S1F的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:57 A

Rds On-漏源导通电阻:40 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:105 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:360 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

系列:TK040N65Z

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Toshiba

下降时间:5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:65 ns

工厂包装数量:30

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:170 ns

典型接通延迟时间:120 ns

供应商TK040N65Z,S1F
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