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TK065N65Z,S1F /PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
TK065N65Z,S1F的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

包装管件

系列DTMOSVI

零件状态有源

FET 类型N 通道

技术MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)650V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)38A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V

不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)65 毫欧 @ 19A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 1.69mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)62nC @ 10V

Vgs(最大值)±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)3650pF @ 300V

FET 功能-

功率耗散(最大值)270W(Tc)

工作温度150°C

安装类型通孔

供应商器件封装TO-247

封装/外壳TO-247-3

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TK065N65Z,S1FToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 650V 38A TO247$6.81000