制造商:Qorvo

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

发货限制：此产品可能需要其他文件才能从美国出口。

RoHS:是

晶体管类型:HEMT

技术:GaN SiC

增益:11 dB

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:32 V

Vgs-栅源极击穿电压 :- 2.7 V

Id-连续漏极电流:1.3 A

输出功率:19 W

最大工作温度:+ 225 C

Pd-功率耗散:33 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:QFN-20

封装:Tray

配置:Single

高度:0.203 mm

长度:4 mm

工作频率:DC to 12 GHz

类型:GaN SiC HEMT

宽度:3 mm

商标:Qorvo

通道数量:1 Channel

开发套件:TGF2978-SMEVB1

湿度敏感性:Yes

产品类型:RF JFET Transistors

工厂包装数量:10

子类别:Transistors

零件号别名:1127373

单位重量:123 mg