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TGF2160 /射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 10.4dB PAE 63% DIE

TGF2160的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Qorvo

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:是

晶体管类型:pHEMT

技术:GaAs

增益:10.4 dB

Vds-漏源极击穿电压:12 V

Vgs-栅源极击穿电压 :- 7 V

Id-连续漏极电流:517 mA

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:5.6 W

安装风格:SMD/SMT

封装:Gel Pack

配置:Dual

工作频率:20 GHz

工作温度范围:- 65 C to + 150 C

产品:RF JFET

类型:GaAs pHEMT

商标:Qorvo

正向跨导 - 最小值:619 mS

通道数量:2 Channel

P1dB - 压缩点:32.5 dBm

产品类型:RF JFET Transistors

工厂包装数量:100

子类别:Transistors

零件号别名:1098617

TGF2160

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深圳市毅创腾电子科技有限公司	TGF2160	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价
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TGF2160	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 10.4dB PAE 63% DIE	Qorvo		231.80 Kbytes	共6页		无

TGF2160的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Mouser 贸泽电子	TGF2160	Qorvo	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 10.4dB PAE 63% DIE	100:¥132.7072 300:¥124.0175 500:¥115.9493

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