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TGF2160 /射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 10.4dB PAE 63% DIE
TGF2160的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Qorvo

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:

晶体管类型:pHEMT

技术:GaAs

增益:10.4 dB

Vds-漏源极击穿电压:12 V

Vgs-栅源极击穿电压 :- 7 V

Id-连续漏极电流:517 mA

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:5.6 W

安装风格:SMD/SMT

封装:Gel Pack

配置:Dual

工作频率:20 GHz

工作温度范围:- 65 C to + 150 C

产品:RF JFET

类型:GaAs pHEMT

商标:Qorvo

正向跨导 - 最小值:619 mS

通道数量:2 Channel

P1dB - 压缩点:32.5 dBm

产品类型:RF JFET Transistors

工厂包装数量:100

子类别:Transistors

零件号别名:1098617

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TGF2160Qorvo射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 10.4dB PAE 63% DIE100:¥132.7072
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