制造商:Qorvo
产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS:是
晶体管类型:pHEMT
技术:GaAs
增益:10.4 dB
Vds-漏源极击穿电压:12 V
Vgs-栅源极击穿电压 :- 7 V
Id-连续漏极电流:517 mA
最小工作温度:- 65 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:5.6 W
安装风格:SMD/SMT
封装:Gel Pack
配置:Dual
工作频率:20 GHz
工作温度范围:- 65 C to + 150 C
产品:RF JFET
类型:GaAs pHEMT
商标:Qorvo
正向跨导 - 最小值:619 mS
通道数量:2 Channel
P1dB - 压缩点:32.5 dBm
产品类型:RF JFET Transistors
工厂包装数量:100
子类别:Transistors
零件号别名:1098617