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TGF2953 /射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
TGF2953的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Qorvo

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:

晶体管类型:HEMT

技术:GaN SiC

增益:18.2 dB

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:32 V

Id-连续漏极电流:820 mA

输出功率:41.6 dBm

最大漏极/栅极电压:100 V

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:17 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:Die

封装:Gel Pack

配置:Single

工作频率:15 GHz

工作温度范围:- 65 C to + 150 C

商标:Qorvo

产品类型:RF JFET Transistors

工厂包装数量:50

子类别:Transistors

零件号别名:1112257

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TGF2953Qorvo射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm50:¥337.3276
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