制造商:Qorvo
产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS:是
晶体管类型:HEMT
技术:GaN SiC
增益:15 dB
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:-
Vgs-栅源极击穿电压 :-
Id-连续漏极电流:80 mA
输出功率:7.2 W
最大漏极/栅极电压:-
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
Pd-功率耗散:8.9 W
安装风格:SMD/SMT
封装:Gel Pack
应用:Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置:Single
工作频率:DC to 25 GHz
系列:TGF
商标:Qorvo
正向跨导 - 最小值:-
NF—噪声系数:1.3 dB
产品类型:RF JFET Transistors
工厂包装数量:50
子类别:Transistors
零件号别名:1113799