制造商:Qorvo

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

发货限制：Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

RoHS:是

晶体管类型:HEMT

技术:GaN SiC

增益:14 dB

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:32 V

Vgs-栅源极击穿电压 :- 2.9 V

Id-连续漏极电流:7.32 A

输出功率:100 W

最大漏极/栅极电压:145 V

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 85 C

Pd-功率耗散:86 W

安装风格:SMD/SMT

封装:Tray

配置:Single

工作频率:3.5 GHz

工作温度范围:- 40 C to + 85 C

类型:GaN SiC HEMT

商标:Qorvo

开发套件:TGF2819-FS/FL, EVAL BOARD

湿度敏感性:Yes

产品类型:RF JFET Transistors

工厂包装数量:25

子类别:Transistors

零件号别名:1118705 772-TGF2819-FS-EVB1