制造商:Qorvo
产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS:是
晶体管类型:HEMT
技术:GaN SiC
增益:20.4 dB
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:32 V
Id-连续漏极电流:480 mA
输出功率:38.4 dBm
最大漏极/栅极电压:100 V
最小工作温度:- 65 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:10.5 W
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:Die
封装:Gel Pack
配置:Single
工作频率:15 GHz
工作温度范围:- 65 C to + 150 C
商标:Qorvo
产品类型:RF JFET Transistors
工厂包装数量:50
子类别:Transistors
零件号别名:1111797