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TGF2929-FL /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DC-3.5GHz 100W 28V GaN

TGF2929-FL的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Qorvo

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

晶体管极性:N-Channel

技术:GaN SiC

Id-连续漏极电流:12 A

Vds-漏源极击穿电压:28 V

增益:14 dB

输出功率:107 W

封装:Tray

工作频率:3.5 GHz

类型:RF Power MOSFET

商标:Qorvo

湿度敏感性:Yes

Pd-功率耗散:144 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:25

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:145 V

Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.9 V

零件号别名:1123811

TGF2929-FL

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TGF2929-FL	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DC-3.5GHz 100W 28V GaN	Qorvo		1.13 Mbytes	共20页		无

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销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Mouser 贸泽电子	TGF2929-FL	Qorvo	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DC-3.5GHz 100W 28V GaN	1:¥2,881.50 25:¥2,600.5707

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