制造商:Qorvo

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:是

晶体管类型:HEMT

技术:GaN SiC

增益:18 dB

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:32 V

Vgs-栅源极击穿电压 :- 2.7 V

Id-连续漏极电流:600 mA

输出功率:6 W

最大漏极/栅极电压:-

最小工作温度:-

最大工作温度:-

Pd-功率耗散:7.5 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:QFN-16

封装:Tray

配置:Single

工作频率:30 MHz to 3 GHz

商标:Qorvo

正向跨导 - 最小值:-

闸/源截止电压:-

湿度敏感性:Yes

产品类型:RF JFET Transistors

Rds On-漏源导通电阻:-

工厂包装数量:100

子类别:Transistors

Vgs th-栅源极阈值电压:-

零件号别名:1123170

单位重量:57.100 mg