制造商:Qorvo
产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS:是
晶体管类型:pHEMT
技术:GaAs
增益:11 dB
Vds-漏源极击穿电压:8 V
Vgs-栅源极击穿电压 :- 12 V
Id-连续漏极电流:194 mA
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:4.2 W
封装 / 箱体:Die
封装:Gel Pack
配置:Single
工作频率:20 GHz
产品:RF JFET
类型:GaAs pHEMT
商标:Qorvo
正向跨导 - 最小值:464 mS
P1dB - 压缩点:31 dBm
产品类型:RF JFET Transistors
工厂包装数量:100
子类别:Transistors
零件号别名:1098613