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TGF2935 /射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 5Watt NF 1.3dB GaN
TGF2935的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Qorvo

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:

晶体管类型:HEMT

技术:GaN SiC

增益:16 dB

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:-

Vgs-栅源极击穿电压 :-

Id-连续漏极电流:360 mA

输出功率:4.8 W

最大漏极/栅极电压:-

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 85 C

Pd-功率耗散:5 W

安装风格:SMD/SMT

封装:Gel Pack

应用:Defense and Aerospace, Broadband Wireless

配置:Single

工作频率:DC to 25 GHz

系列:TGF

商标:Qorvo

正向跨导 - 最小值:-

NF—噪声系数:1.3 dB

产品类型:RF JFET Transistors

工厂包装数量:50

子类别:Transistors

零件号别名:1113815

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250:¥149.838
500:¥139.3855