制造商:Qorvo

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:是

晶体管类型:pHEMT

技术:GaAs

增益:11.5 dB

Vds-漏源极击穿电压:12 V

Vgs-栅源极击穿电压 :- 7 V

Id-连续漏极电流:259 mA

最大漏极/栅极电压:- 12 V

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:4.2 W

安装风格:SMD/SMT

封装:Gel Pack

配置:Dual

工作频率:12 GHz

工作温度范围:- 65 C to + 150 C

产品:RF JFET

系列:TGF

类型:GaAs pHEMT

商标:Qorvo

正向跨导 - 最小值:309 mS

通道数量:2 Channel

P1dB - 压缩点:29.5 dBm

产品类型:RF JFET Transistors

工厂包装数量:100

子类别:Transistors

零件号别名:1098414