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SI2304DDS-T1-GE3 /MOSFET 30V Vds 20V Vgs SOT-23
SI2304DDS-T1-GE3的规格信息
SI2304DDS-T1-GE3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:3.6 A

Rds On-漏源导通电阻:60 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:6.7 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.7 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SI2

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:11 S

下降时间:5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:10 ns

典型接通延迟时间:5 ns

零件号别名:SI2304DDS-GE3

单位重量:8 mg

供应商SI2304DDS-T1-GE3
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深圳市威雅利发展有限公司SI2304DDS-T1-GE3华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120
韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI2304DDS-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
13267088774 (微信同号)
Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城(深圳)科技有限公司SI2304DDS-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司Si2304DDS-T1-GE3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480
林先生Email:244673889@qq.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司Si2304DDS-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049
陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI2304DDS-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
13926529829,17318082080
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城SI2304DDS-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
18188616613
郑小姐Email:sam@678ic.com询价
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深圳市百域芯科技有限公司SI2304DDS-T1-GE3世纪汇都会轩45070755-82788062
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梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
集好芯城SI2304DDS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司SI2304DDS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
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深圳市高捷芯城科技有限公司SI2304DDS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI2304DDS-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
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深圳诚思涵科技有限公司SI2304DDS-T1-GE3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
15302723671/15820783671
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深圳市芯泽盛世科技有限公司SI2304DDS-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SI2304DDS-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市宇浩扬科技有限公司SI2304DDS-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市水星电子有限公司SI2304DDS-T1-GE3地址1:深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2:深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
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深圳和润天下电子科技有限公司SI2304DDS-T1-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
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SI2304DDS-T1-GE3MOSFET 30V Vds 20V Vgs SOT-23Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO200.58 Kbytes共9页SI2304DDS-T1-GE3的PDF下载地址
SI2304DDS-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT23Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO200.58 Kbytes共9页SI2304DDS-T1-GE3的PDF下载地址
SI2304DDS-T1-GE3连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.3A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 3.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.1W 类型:N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO236.82 Kbytes共10页SI2304DDS-T1-GE3的PDF下载地址
SI2304DDS-T1-GE3SI2304DDS-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 3.6 A, 30 V, 3-Pin TO-236Siliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO236.82 Kbytes共10页SI2304DDS-T1-GE3的PDF下载地址
SI2304DDS-T1-GE3的全球分销商及价格
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元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics
SI2304DDS-T1-GE3Siliconix / VishaySI2304DDS-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 3.6 A, 30 V, 3-Pin TO-236+1:$0.28
+25:$0.26
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Arrow(艾睿)
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
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SI2304DDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 3.6A 1.7W 60mohm @ 10V1+:¥3.42
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Mouser 贸泽电子
SI2304DDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 3.6A 1.7W 60mohm @ 10V1+:¥3.42
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
SI2304DDS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs SOT-231:¥3.5369
10:¥2.3843
100:¥1.6159
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3,000:¥0.89157
6,000:查看
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Verical
SI2304DDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 3.6A 1.7W 60mohm @ 10V1+:¥3.42
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