制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-363-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:200 mA

Rds On-漏源导通电阻:3.3 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:300 mW

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Reel

高度:0.9 mm

长度:2 mm

产品:MOSFET Small Signal

系列:SSM6N7002

晶体管类型:2 N-Channel

宽度:1.25 mm

商标:Toshiba

正向跨导 - 最小值:170 mS

下降时间:72 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:72 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:69 ns

典型接通延迟时间:18 ns

单位重量:7.500 mg