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SIS476DN-T1-GE3 /MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
SIS476DN-T1-GE3的规格信息
SIS476DN-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:40 A

Rds On-漏源导通电阻:2.05 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V, - 16 V

Qg-栅极电荷:77 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:52 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET, PowerPAK

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.04 mm

长度:3.3 mm

系列:SIS

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.3 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:105 S

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:17 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:25 ns

典型接通延迟时间:24 ns

零件号别名:SIS476DN-GE3

供应商SIS476DN-T1-GE3
SIS476DN-T1-GE3的供应商,可免费索样
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深圳市芯幂科技有限公司SIS476DN-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市百域芯科技有限公司SIS476DN-T1-GE3世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734		梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
集好芯城SIS476DN-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
集好芯城SIS476DN-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SIS476DN-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SIS476DN-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SIS476DN-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市坤融电子有限公司SiS476DN-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SIS476DN-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SIS476DN-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SIS476DN-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司SiS476DN-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳诚思涵科技有限公司SIS476DN-T1-GE3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
15302723671/15820783671		曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司SIS476DN-T1-GE3深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
19147724283，19147721680		王小姐，刘先生Email:345720093@qq.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SIS476DN-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SIS476DN-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SIS476DN-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SIS476DN-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市芯奕科技有限公司SIS476DN-T1-GE3深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SIS476DN-T1-GE3深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
13332931905		小柯Email:2851989182@qq.com询价
SIS476DN-T1-GE3及相关型号的PDF资料
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SIS476DN-T1-GE3MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO588.55 Kbytes共13页SIS476DN-T1-GE3的PDF下载地址无
SIS476DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO588.25 Kbytes共13页SIS476DN-T1-GE3的PDF下载地址无
SIS476DN-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：52W(Tc) 类型：N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO571.63 Kbytes共13页SIS476DN-T1-GE3的PDF下载地址无
SIS476DN-T1-GE3Semiconcuctor; Mosfet; TrenchFET; N-Channel; 30V; 40A; 2.5mohm @ 10V; PowerPAK 1212-8Siliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO588.25 Kbytes共13页SIS476DN-T1-GE3的PDF下载地址无
SIS476DN-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		SIS476DN-T1-GE3Siliconix / VishaySemiconcuctor; Mosfet; TrenchFET; N-Channel; 30V; 40A; 2.5mohm @ 10V; PowerPAK 1212-8+3000:$0.72
+150000:$0.71
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SIS476DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 2.5mOhm@10V 40A N-Ch G-IV1+:￥6.8401
10+:￥5.5199
100+:￥4.24
500+:￥3.74
1000+:￥3.66
3000+:￥3.49
6000+:￥3.36
9000+:￥3.28
24000+:￥3.17991+:￥5.15
20+:￥5.07
150+:￥4.62
750+:￥3.741+:￥3.8
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SIS476DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8$1.23000
元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		SIS476DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 2.5mOhm@10V 40A N-Ch G-IV1+:￥6.8401
10+:￥5.5199
100+:￥4.24
500+:￥3.74
1000+:￥3.66
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24000+:￥3.17991+:￥5.15
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SIS476DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-81:¥9.0626
10:¥7.5258
100:¥5.7743
500:¥4.972
1,000:¥3.9211
3,000:¥3.9211
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SIS476DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 2.5mOhm@10V 40A N-Ch G-IV1+:￥6.8401
10+:￥5.5199
100+:￥4.24
500+:￥3.74
1000+:￥3.66
3000+:￥3.49
6000+:￥3.36
9000+:￥3.28
24000+:￥3.1799
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SIS476DN-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：52W(Tc) 类型：N沟道1+:￥0.7915
10+:￥0.59455
30+:￥0.55835
100+:￥0.5222
500+:￥0.5061
1000+:￥0.49815
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