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SIRA50DP-T1-RE3 /MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
SIRA50DP-T1-RE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:1 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V, - 16 V

Qg-栅极电荷:129 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:100 W

配置:Single

商标名:TrenchFET, PowerPAK

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SIR

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:53 ns

典型接通延迟时间:19 ns

供应商SIRA50DP-T1-RE3
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SIRA50DP-T1-RE3MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO388.64 Kbytes共13页SIRA50DP-T1-RE3的PDF下载地址
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SIRA50DP-T1-RE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 62.5A/100A PPAK$1.69000
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SIRA50DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-81:¥12.3735
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100:¥7.9891
500:¥6.9947
1,000:¥5.7969
3,000:¥5.7969