特色产品：N-Channel TrenchFET® Gen III Power MOSFETs

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：TrenchFET®

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：50A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.9 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.6V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：60nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：2747pF @ 10V

功率 - 最大值：50W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK® SO-8

供应商器件封装：PowerPAK® SO-8

其它名称：SIR890DP-T1-GE3TRSIR890DPT1GE3