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SIRA18DP-T1-GE3 /MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
SIRA18DP-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:33 A

Rds On-漏源导通电阻:6 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V, - 16 V

Qg-栅极电荷:21.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:14.7 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET, PowerPAK

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.04 mm

长度:6.15 mm

系列:SIR

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:54 S

下降时间:5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:15 ns

典型接通延迟时间:11 ns

单位重量:506.600 mg

供应商SIRA18DP-T1-GE3
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SIRA18DP-T1-GE3SIRA18DP-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 15.5 A; 30 V; 8-Pin PowerPAK SOSiliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO380.49 Kbytes共13页SIRA18DP-T1-GE3的PDF下载地址
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SIRA18DP-T1-GE3Siliconix / VishaySIRA18DP-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 15.5 A; 30 V; 8-Pin PowerPAK SO+300:$0.39
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SIRA18DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥1.6899
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SIRA18DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-81:¥4.8364
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500:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.7854