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SIRA00DP-T1-GE3 /MOSFET 30V 1mOhm@10V 60A N-Ch G-IV
SIRA00DP-T1-GE3的规格信息
SIRA00DP-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:830 uOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V, - 16 V

Qg-栅极电荷:220 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:104 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET, PowerPAK

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.04 mm

长度:6.15 mm

系列:SIR

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:140 S

下降时间:11 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:14 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:67 ns

典型接通延迟时间:18 ns

零件号别名:SIRA00DP-GE3

单位重量:506.600 mg

供应商SIRA00DP-T1-GE3
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深圳市威雅利发展有限公司SIRA00DP-T1-GE3华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SIRA00DP-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SIRA00DP-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SIRA00DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司SIRA00DP-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SIRA00DP-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市斌腾达科技有限公司SIRA00DP-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SIRA00DP-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905		谢先生Email:2851989182@qq.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SIRA00DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SIRA00DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳诚思涵科技有限公司SIRA00DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
15302723671/15820783671		曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SIRA00DP-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SIRA00DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市星宇佳科技有限公司SIRA00DP-T1-GE3深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
13332931905		小柯Email:2851989182@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SIRA00DP-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
集好芯城SIRA00DP-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SIRA00DP-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城SIRA00DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市科思奇电子科技有限公司SIRA00DP-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市微碧半导体有限公司SIRA00DP-T1-GE3-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
18118747668		许小姐Email:Reeta@vbsemi.cn询价
SIRA00DP-T1-GE3及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
SIRA00DP-T1-GE3MOSFET 30V 1mOhm@10V 60A N-Ch G-IVVishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO327.34 Kbytes共13页SIRA00DP-T1-GE3的PDF下载地址无
SIRA00DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO324.56 Kbytes共13页SIRA00DP-T1-GE3的PDF下载地址无
SIRA00DP-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：1mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：6.25W 类型：N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO326.25 Kbytes共13页SIRA00DP-T1-GE3的PDF下载地址无
SIRA00DP-T1-GE3Semiconcuctor; Mosfet; TrenchFET; N-Channel; 30V; 60A; 1mohm @ 10V; PowerPAK SO-8Siliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO324.56 Kbytes共13页SIRA00DP-T1-GE3的PDF下载地址无
SIRA00DP-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		SIRA00DP-T1-GE3Siliconix / VishaySemiconcuctor; Mosfet; TrenchFET; N-Channel; 30V; 60A; 1mohm @ 10V; PowerPAK SO-8+3000:$1.49
+150000:$1.48
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SIRA00DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 1mOhm@10V 60A N-Ch G-IV3000+:￥6.92
6000+:￥6.66
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30000+:￥6.3
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10+:￥10.19
100+:￥8.12
500+:￥8.12
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9000+:￥6.63
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20+:￥10.5201
150+:￥9.5399
750+:￥7.850+:￥15.19
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1000+:￥9.0101
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		SIRA00DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 1mOhm@10V 60A N-Ch G-IV3000+:￥6.92
6000+:￥6.66
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24000+:￥6.593000+:￥6.34
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SIRA00DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8$2.29000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SIRA00DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 1mOhm@10V 60A N-Ch G-IV3000+:￥6.92
6000+:￥6.66
15000+:￥6.4
30000+:￥6.3
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元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		SIRA00DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 1mOhm@10V 60A N-Ch G-IV3000+:￥6.92
6000+:￥6.66
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9000+:￥6.63
24000+:￥6.593000+:￥6.341+:￥10.67
20+:￥10.5201
150+:￥9.5399
750+:￥7.8
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Mouser 贸泽电子		SIRA00DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 1mOhm@10V 60A N-Ch G-IV3000+:￥6.92
6000+:￥6.66
15000+:￥6.4
30000+:￥6.3
75000+:￥6.141+:￥12.67
10+:￥10.19
100+:￥8.12
500+:￥8.12
1000+:￥7.59
3000+:￥6.97
6000+:￥6.89
9000+:￥6.63
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Mouser 贸泽电子		SIRA00DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 1mOhm@10V 60A N-Ch G-IV1:¥16.7466
10:¥13.9103
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3,000:¥7.8422
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RS(欧时)		SIRA00DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 1mOhm@10V 60A N-Ch G-IV3000+:￥6.92
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Verical		SIRA00DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 1mOhm@10V 60A N-Ch G-IV3000+:￥6.92
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立创商城		SIRA00DP-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：1mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：6.25W 类型：N沟道1+:￥9.59
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