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SIRA04DP-T1-GE3 /MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
SIRA04DP-T1-GE3的规格信息
SIRA04DP-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:40 A

Rds On-漏源导通电阻:1.8 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V, - 16 V

Qg-栅极电荷:77 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:62.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET, PowerPAK

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SIR

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:105 S

下降时间:8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:30 ns

典型接通延迟时间:12 ns

零件号别名:SIRA04DP-GE3

单位重量:506.600 mg

供应商SIRA04DP-T1-GE3
SIRA04DP-T1-GE3的供应商,可免费索样
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深圳市天卓伟业电子有限公司SIRA04DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SIRA04DP-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司SIRA04DP-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城SIRA04DP-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SIRA04DP-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SIRA04DP-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SIRA04DP-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城SIRA04DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SIRA04DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SIRA04DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市兴中芯科技有限公司SIRA04DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路1015号赛格科技园4栋中8A6513113670037
13113670037		唐先生Email:chenglong@xzxic.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SIRA04DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SIRA04DP-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SIRA04DP-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SIRA04DP-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SIRA04DP-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SIRA04DP-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市芯奕科技有限公司SIRA04DP-T1-GE3深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司SiRA04DP-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳和润天下电子科技有限公司SIRA04DP-T1-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
SIRA04DP-T1-GE3及相关型号的PDF资料
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SIRA04DP-T1-GE3MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO332.72 Kbytes共13页SIRA04DP-T1-GE3的PDF下载地址无
SIRA04DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO332.15 Kbytes共13页SIRA04DP-T1-GE3的PDF下载地址无
SIRA04DP-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：2.15mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5W 类型：N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO331.66 Kbytes共13页SIRA04DP-T1-GE3的PDF下载地址无
SIRA04DP-T1-GE3Semiconcuctor; Mosfet; TrenchFET; N-Channel; 30V; 40A; 2.15mohm @ 10V; PowerPAK SO-8Siliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO332.15 Kbytes共13页SIRA04DP-T1-GE3的PDF下载地址无
SIRA04DP-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		SIRA04DP-T1-GE3Siliconix / VishaySemiconcuctor; Mosfet; TrenchFET; N-Channel; 30V; 40A; 2.15mohm @ 10V; PowerPAK SO-8+3000:$0.81
+150000:$0.79
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SIRA04DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 2.15mOhm@10V 40A N-Ch G-IV1+:￥9.97
10+:￥8.82
25+:￥7.96
100+:￥6.96
250+:￥6.11
500+:￥5.42
1000+:￥4.281+:￥7.65
10+:￥6.15
100+:￥4.74
500+:￥4.1799
1000+:￥4.09
3000+:￥3.91
6000+:￥3.76
9000+:￥3.66
24000+:￥3.5550+:￥11.7099
250+:￥9.59
1000+:￥9.14
3000+:￥8.69011+:￥4.25
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SIRA04DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 2.15mOhm@10V 40A N-Ch G-IV1+:￥9.97
10+:￥8.82
25+:￥7.96
100+:￥6.96
250+:￥6.11
500+:￥5.42
1000+:￥4.28
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SIRA04DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-81:¥10.1474
10:¥8.3733
100:¥6.4523
500:¥5.5596
3,000:¥5.5596
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SIRA04DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 2.15mOhm@10V 40A N-Ch G-IV1+:￥9.97
10+:￥8.82
25+:￥7.96
100+:￥6.96
250+:￥6.11
500+:￥5.42
1000+:￥4.281+:￥7.65
10+:￥6.15
100+:￥4.74
500+:￥4.1799
1000+:￥4.09
3000+:￥3.91
6000+:￥3.76
9000+:￥3.66
24000+:￥3.55
元器件资料网-RS(欧时)的LOGO
RS(欧时)		SIRA04DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 2.15mOhm@10V 40A N-Ch G-IV1+:￥9.97
10+:￥8.82
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100+:￥6.96
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500+:￥5.42
1000+:￥4.281+:￥7.65
10+:￥6.15
100+:￥4.74
500+:￥4.1799
1000+:￥4.09
3000+:￥3.91
6000+:￥3.76
9000+:￥3.66
24000+:￥3.5550+:￥11.7099
250+:￥9.59
1000+:￥9.14
3000+:￥8.6901
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SIRA04DP-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：2.15mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5W 类型：N沟道1+:￥9.62
10+:￥9.34
SIRA04DP-T1-GE3的相关型号
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