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SIRA12DP-T1-GE3 /MOSFET 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch G-IV
SIRA12DP-T1-GE3的规格信息
SIRA12DP-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:60 A

Rds On-漏源导通电阻:3.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V, - 16 V

Qg-栅极电荷:45 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:31 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET, PowerPAK

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.04 mm

长度:6.15 mm

系列:SIR

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:51 S

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:25 ns

典型接通延迟时间:10 ns

零件号别名:SIRA12DP-GE3

单位重量:506.600 mg

供应商SIRA12DP-T1-GE3
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深圳市天卓伟业电子有限公司SIRA12DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SIRA12DP-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司SIRA12DP-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城SIRA12DP-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SIRA12DP-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城SIRA12DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SIRA12DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SIRA12DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司SIRA12DP-T1-GE3深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
19147724283，19147721680		王小姐，刘先生Email:345720093@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SIRA12DP-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司SIRA12DP-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SIRA12DP-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SIRA12DP-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市宸远科技有限公司SIRA12DP-T1-GE3深圳市福田区华强北街道中航北苑B座9B40755-23481624
19068068798，15338712396		彭先生，许娜Email:3004325620@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司SiRA12DP-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SIRA12DP-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SIRA12DP-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SIRA12DP-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SIRA12DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市芯奕科技有限公司SIRA12DP-T1-GE3深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
SIRA12DP-T1-GE3及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
SIRA12DP-T1-GE3MOSFET 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch G-IVVishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO130.25 Kbytes共7页SIRA12DP-T1-GE3的PDF下载地址无
SIRA12DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO270.76 Kbytes共13页SIRA12DP-T1-GE3的PDF下载地址无
SIRA12DP-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：4.3mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：31W(Tc) 类型：N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO270.76 Kbytes共13页SIRA12DP-T1-GE3的PDF下载地址无
SIRA12DP-T1-GE3Semiconcuctor; Mosfet; TrenchFET; N-Channel; 30V; 25A; 4.3mohm @ 10V; PowerPAK SO-8Siliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO270.76 Kbytes共13页SIRA12DP-T1-GE3的PDF下载地址无
SIRA12DP-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		SIRA12DP-T1-GE3Siliconix / VishaySemiconcuctor; Mosfet; TrenchFET; N-Channel; 30V; 25A; 4.3mohm @ 10V; PowerPAK SO-8+3000:$0.52
+150000:$0.51
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SIRA12DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch G-IV3000+:￥2.85
6000+:￥2.7
15000+:￥2.61
30000+:￥2.5199
75000+:￥2.441+:￥5.57
10+:￥4.36
100+:￥3.31
500+:￥2.8201
1000+:￥2.62
3000+:￥2.62
6000+:￥2.4
9000+:￥2.38
24000+:￥2.293000+:￥2.750+:￥7.34
250+:￥6
1000+:￥5.71
3000+:￥5.441+:￥3.13
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		SIRA12DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch G-IV3000+:￥2.85
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24000+:￥2.293000+:￥2.7
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SIRA12DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8$1.01000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SIRA12DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch G-IV3000+:￥2.85
6000+:￥2.7
15000+:￥2.61
30000+:￥2.5199
75000+:￥2.44
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SIRA12DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch G-IV1:¥7.3789
10:¥5.9664
100:¥4.5313
500:¥3.729
3,000:¥3.729
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SIRA12DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch G-IV3000+:￥2.85
6000+:￥2.7
15000+:￥2.61
30000+:￥2.5199
75000+:￥2.441+:￥5.57
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100+:￥3.31
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1000+:￥2.62
3000+:￥2.62
6000+:￥2.4
9000+:￥2.38
24000+:￥2.29
元器件资料网-RS(欧时)的LOGO
RS(欧时)		SIRA12DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch G-IV3000+:￥2.85
6000+:￥2.7
15000+:￥2.61
30000+:￥2.5199
75000+:￥2.441+:￥5.57
10+:￥4.36
100+:￥3.31
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24000+:￥2.293000+:￥2.750+:￥7.34
250+:￥6
1000+:￥5.71
3000+:￥5.44
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		SIRA12DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch G-IV3000+:￥2.85
6000+:￥2.7
15000+:￥2.61
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10+:￥4.36
100+:￥3.31
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1000+:￥2.62
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1000+:￥5.71
3000+:￥5.441+:￥3.131+:￥2.68
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SIRA12DP-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：4.3mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：31W(Tc) 类型：N沟道1+:￥3.1
10+:￥2.33
30+:￥2.18
100+:￥2.04
500+:￥1.98
1000+:￥1.95
SIRA12DP-T1-GE3的相关型号
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