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SIR880DP-T1-GE3 /MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
SIR880DP-T1-GE3的规格信息
SIR880DP-T1-GE3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:80 V

Id-连续漏极电流:60 A

Rds On-漏源导通电阻:4.9 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:74 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:104 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET, PowerPAK

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.04 mm

长度:6.15 mm

系列:SIR

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:64 S

下降时间:11 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:38 ns

典型接通延迟时间:12 ns

零件号别名:SIR880DP-GE3

单位重量:506.600 mg

供应商SIR880DP-T1-GE3
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SIR880DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 80V 5.9mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET3000+:¥8.64
6000+:¥8.32
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100+:¥10.19
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SIR880DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8$2.86000
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SIR880DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-81:¥21.0519
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100:¥13.5261
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1,000:¥11.30
3,000:¥11.30
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1000+:¥9.44
3000+:¥8.6701
6000+:¥8.58
9000+:¥8.28
24000+:¥8.21