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SIRA01DP-T1-GE3 /MOSFET -30V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8
SIRA01DP-T1-GE3的规格信息
SIRA01DP-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:60 A

Rds On-漏源导通电阻:4.9 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:16 V, - 20 V

Qg-栅极电荷:56 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:62.5 W

配置:Single

商标名:TrenchFET, PowerPAK

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SIR

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:6 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:39 ns

典型接通延迟时间:15 ns

供应商SIRA01DP-T1-GE3
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深圳市辉华拓展电子有限公司SIRA01DP-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
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”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
集好芯城SIRA01DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
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深圳市斌腾达科技有限公司SIRA01DP-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳市惊羽科技有限公司SIRA01DP-T1-GE3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回		彭小姐Email:1138536269@qq.com询价
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SIRA01DP-T1-GE3MOSFET -30V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO181.73 Kbytes共7页SIRA01DP-T1-GE3的PDF下载地址无
SIRA01DP-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO235.68 Kbytes共9页SIRA01DP-T1-GE3的PDF下载地址无
SIRA01DP-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：26A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：4.9mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5W 类型：P沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO180.60 Kbytes共7页SIRA01DP-T1-GE3的PDF下载地址无
SIRA01DP-T1-GE3的全球分销商及价格
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SIRA01DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8$1.32000
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SIRA01DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -30V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-81:¥9.7632
10:¥8.0682
100:¥6.1924
500:¥5.3223
1,000:¥4.2036
3,000:¥4.2036
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SIRA01DP-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：26A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：4.9mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5W 类型：P沟道1+:￥2.046
10+:￥1.986
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