SIRA50ADP-T1-RE3
/MOSFET 40V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
SIRA50ADP-T1-RE3的规格信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:40 V
Id-连续漏极电流:219 A
Rds On-漏源导通电阻:1.04 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
Vgs - 栅极-源极电压:20 V, - 16 V
Qg-栅极电荷:150 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:100 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:TrenchFET, PowerPAK
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
系列:SIR
商标:Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值:130 S
下降时间:8 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:8 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:45 ns
典型接通延迟时间:19 ns
SIRA50ADP-T1-RE3
SIRA50ADP-T1-RE3的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Mouser 贸泽电子 | SIRA50ADP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 40V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8 | 1:¥12.2153 10:¥10.1474 100:¥7.8422 500:¥6.9043 1,000:¥5.7178 3,000:¥5.3223
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