标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：TrenchFET®

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：30A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：7 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：30nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1120pF @ 15V

功率 - 最大值：41.7W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK® SO-8

供应商器件封装：PowerPAK® SO-8

其它名称：SIR850DP-T1-GE3TRSIR850DPT1GE3