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SIR804DP-T1-GE3 /MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
SIR804DP-T1-GE3的规格信息
SIR804DP-T1-GE3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:60 A

Rds On-漏源导通电阻:7.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:50.8 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:104 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET, PowerPAK

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SIR

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:73 S

下降时间:11 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:38 ns

典型接通延迟时间:11 ns

零件号别名:SIR804DP-GE3

单位重量:506.600 mg

供应商SIR804DP-T1-GE3
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深圳市天卓伟业电子有限公司SIR804DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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深圳市芯幂科技有限公司SIR804DP-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
集好芯城SIR804DP-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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杨先生Email:sam@678ic.com询价
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深圳市宇浩扬科技有限公司SIR804DP-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市辉华拓展电子有限公司SIR804DP-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市高捷芯城科技有限公司SIR804DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SIR804DP-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SIR804DP-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
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深圳市辰芯伟业科技有限公司SiR804DP-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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深圳市莱杰信科技有限公司SIR804DP-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区102栋西座619/香港新界中环工業大廈112-115號0755-28183929
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深圳市惊羽科技有限公司SIR804DP-T1-GE3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
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北京显周科技有限公司SIR804DP-T1-GE3北京市海淀区西三旗沁春家园1号楼、2号楼、3号楼2层201-2036010-85525361
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Mouser 贸泽电子
SIR804DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-81:¥21.8994
10:¥18.2156
100:¥14.1363
500:¥12.3735
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Verical
SIR804DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V 7.2mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET3000+:¥9.0299
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