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SIR800ADP-T1-RE3 /MOSFET N-CH 20V POWERPAK SO8 SNG
SIR800ADP-T1-RE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

包装Digi-Reel® 得捷定制卷带

系列TrenchFET® Gen IV

零件状态有源

FET 类型N 通道

技术MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)50.2A(Ta),177A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,10V

不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)1.35 毫欧 @ 10A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)53nC @ 10V

Vgs(最大值)+12V, -8V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)3415pF @ 10V

FET 功能-

功率耗散(最大值)5W(Ta),62.5W(Tc)

工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型表面贴装型

供应商器件封装PowerPAK® SO-8

封装/外壳PowerPAK® SO-8

供应商SIR800ADP-T1-RE3
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