不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1405pF @ 125V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：104W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：63 mOhm @ 10A, 10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：250V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：24.2A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：7.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：30nC @ 7.5V

Id-连续漏极电流：24.2A

Pd-功率耗散：104W

Qg-栅极电荷：40nC

Rds On-漏源导通电阻：52mOhms

Vds-漏源极击穿电压：250V

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Vgs th-栅源极阈值电压：2V

上升时间：62ns

下降时间：32ns

典型关闭延迟时间：14ns

典型接通延迟时间：13ns

安装风格：SMD/SMT

封装/外壳：PowerPAK-SO-8

晶体管极性：N-Channel

晶体管类型：1N-Channel

最大工作温度：+150C

最小工作温度：-55C

正向跨导 - 最小值：26S

系列：SIR

通道数量：1Channel

通道模式：Enhancement

配置：Single

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs