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SIR846ADP-T1-GE3 /MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
SIR846ADP-T1-GE3的规格信息
SIR846ADP-T1-GE3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:60 A

Rds On-漏源导通电阻:6.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:66 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:83 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET, PowerPAK

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.04 mm

长度:6.15 mm

系列:SIR

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:63 S

下降时间:9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:28 ns

典型接通延迟时间:11 ns

零件号别名:SIR846ADP-GE3

单位重量:506.600 mg

供应商SIR846ADP-T1-GE3
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深圳市毅创腾电子科技有限公司SIR846ADP-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869
朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SIR846ADP-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SIR846ADP-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049
陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司SIR846ADP-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城SIR846ADP-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783
杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SIR846ADP-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392
陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城SIR846ADP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司SIR846ADP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SIR846ADP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SIR846ADP-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SIR846ADP-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SIR846ADP-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SIR846ADP-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SIR846ADP-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳诚思涵科技有限公司SiR846ADP-T1-GE3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
15302723671/15820783671
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深圳市芯奕科技有限公司SIR846ADP-T1-GE3深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SIR846ADP-T1-GE3深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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许小姐Email:Reeta@vbsemi.cn询价
深圳市华芯盛世科技有限公司SIR846ADP-T1-GE3深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
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万三科技(深圳)有限公司SIR846ADP-T1-GE3深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-23763516,18818598465
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SIR846ADP-T1-GE3MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO357.44 Kbytes共13页SIR846ADP-T1-GE3的PDF下载地址
SIR846ADP-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO1.88 Mbytes共13页SIR846ADP-T1-GE3的PDF下载地址
SIR846ADP-T1-GE3连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:7.8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5.4W 类型:N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO354.14 Kbytes共13页SIR846ADP-T1-GE3的PDF下载地址
SIR846ADP-T1-GE3的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)
SIR846ADP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V 7.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET1+:¥16.94
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Digi-Key 得捷电子
SIR846ADP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8$2.37000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SIR846ADP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V 7.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET1+:¥16.94
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Future(富昌)
SIR846ADP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V 7.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET1+:¥16.94
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Mouser 贸泽电子
SIR846ADP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-81:¥17.4472
10:¥14.5205
100:¥11.2209
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1,000:¥9.379
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
SIR846ADP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V 7.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET1+:¥16.94
10+:¥15.27
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SIR846ADP-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:7.8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5.4W 类型:N沟道1+:¥3.65
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