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SIA537EDJ-T1-GE3 /MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
SIA537EDJ-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SC70-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:12 V, 20 V

Id-连续漏极电流:4.5 A

Rds On-漏源导通电阻:23 mOhms, 44 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:16 nC, 25 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:7.8 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SIA

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:23 S, 11 S

下降时间:12 ns, 10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns, 15 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:25 ns, 30 ns

典型接通延迟时间:10 ns, 15 ns

单位重量:28 mg

供应商SIA537EDJ-T1-GE3
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SIA537EDJ-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 12V .028ohm@4.5V 4.5A N-CH3000+:¥1.63
6000+:¥1.53
15000+:¥1.42
30000+:¥1.34
75000+:¥1.31
150000+:¥1.271+:¥3.94
10+:¥2.93
100+:¥2.1799
500+:¥1.85
1000+:¥1.63
3000+:¥1.56
6000+:¥1.56
9000+:¥1.43
24000+:¥1.391+:¥1.7
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Digi-Key 得捷电子
SIA537EDJ-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 12V .028ohm@4.5V 4.5A N-CH3000+:¥1.63
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150000+:¥1.27
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Mouser 贸泽电子
SIA537EDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-701:¥5.2997
10:¥4.0115
100:¥2.9832
500:¥2.4408
3,000:¥1.7176
6,000:查看
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Mouser 贸泽电子
SIA537EDJ-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 12V .028ohm@4.5V 4.5A N-CH3000+:¥1.63
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6000+:¥1.56
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SIA537EDJ-T1-GE3VISHAY(威世)预售晶体管1+:¥5.13
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