• 信息最全的元器件资料网
一键搜索元器件图片、规格参数、供应商、PDF资料、价格
SIA527DJ-T1-GE3 /MOSFET -12V Vds 8V Vgs SC-70 N&P PAIR
SIA527DJ-T1-GE3的规格信息
SIA527DJ-T1-GE3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SC70-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:12 V

Id-连续漏极电流:4.5 A

Rds On-漏源导通电阻:29 mOhms, 41 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:15 nC, 26 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:7.8 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.75 mm

长度:2.05 mm

系列:SIA

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度:2.05 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:21 S, 12 S

下降时间:10 ns, 15 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns, 22 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:22 ns, 32 ns

典型接通延迟时间:10 ns, 22 ns

单位重量:28 mg

供应商SIA527DJ-T1-GE3
SIA527DJ-T1-GE3的供应商,可免费索样
供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
现代芯城(深圳)科技有限公司SIA527DJ-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SIA527DJ-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司SiA527DJ-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市水星电子有限公司SIA527DJ-T1-GE3地址1:深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2:深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
13632880560
Email:ljw@sxdzic.cn询价
深圳和润天下电子科技有限公司SIA527DJ-T1-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司SIA527DJ-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779
林炜东,林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司SiA527DJ-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128
Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市斌腾达科技有限公司SIA527DJ-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113
赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SIA527DJ-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861
雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SIA527DJ-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049
陈敏Email:3004201508@qq.com询价
集好芯城SIA527DJ-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783
杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SIA527DJ-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392
陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城SIA527DJ-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司SIA527DJ-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SIA527DJ-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SIA527DJ-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
曾先生Email:1153689911@qq.com询价
万三科技(深圳)有限公司SIA527DJ-T1-GE3深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园6090755-21006672
18188642307
王小康skype:18188642307Email:leo@wansan.net.cn询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SIA527DJ-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608
李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SIA527DJ-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SIA527DJ-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
罗先生Email:250652363@qq.com询价
SIA527DJ-T1-GE3及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
SIA527DJ-T1-GE3MOSFET -12V Vds 8V Vgs SC-70 N&P PAIRVishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO329.43 Kbytes共14页SIA527DJ-T1-GE3的PDF下载地址
SIA527DJ-T1-GE3MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO326.62 Kbytes共14页SIA527DJ-T1-GE3的PDF下载地址
SIA527DJ-T1-GE3连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.5A 漏源电压(Vdss):12V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:29mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):7.8W 类型:N沟道和P沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO328.29 Kbytes共14页SIA527DJ-T1-GE3的PDF下载地址
SIA527DJ-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)
SIA527DJ-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 12V 29mOhm@4.5V 4.5A N-CH3000+:¥1.3499
6000+:¥1.27
15000+:¥1.1799
30000+:¥1.12
75000+:¥1.09
150000+:¥1.041+:¥3.25
10+:¥2.44
100+:¥1.81
500+:¥1.53
1000+:¥1.3499
3000+:¥1.29
6000+:¥1.29
9000+:¥1.19
24000+:¥1.16011+:¥1.41
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SIA527DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6$0.58000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SIA527DJ-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 12V 29mOhm@4.5V 4.5A N-CH3000+:¥1.3499
6000+:¥1.27
15000+:¥1.1799
30000+:¥1.12
75000+:¥1.09
150000+:¥1.04
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
SIA527DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -12V Vds 8V Vgs SC-70 N&P PAIR1:¥4.3844
10:¥3.3335
100:¥2.4747
500:¥2.034
3,000:¥1.4238
6,000:查看
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
SIA527DJ-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 12V 29mOhm@4.5V 4.5A N-CH3000+:¥1.3499
6000+:¥1.27
15000+:¥1.1799
30000+:¥1.12
75000+:¥1.09
150000+:¥1.041+:¥3.25
10+:¥2.44
100+:¥1.81
500+:¥1.53
1000+:¥1.3499
3000+:¥1.29
6000+:¥1.29
9000+:¥1.19
24000+:¥1.1601
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
SIA527DJ-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.5A 漏源电压(Vdss):12V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:29mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):7.8W 类型:N沟道和P沟道1+:¥4.6
10+:¥3.36
30+:¥3.13
100+:¥2.91
500+:¥2.8
1000+:¥2.75