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SI4953DY / MOSFET SO8 DUAL PCH
SI4953DY的规格信息
SI4953DY的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Fairchild Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

Id-连续漏极电流:- 3.7 A

Vds-漏源极击穿电压:- 30 V

Rds On-漏源导通电阻:40 mOhms

晶体管极性:P-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOIC-Narrow-8

封装:Reel

商标:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Dual Dual Drain

下降时间:16 ns

正向跨导 - 最小值:11 S

最小工作温度:- 55 C

上升时间:14 ns

系列:SI4953

工厂包装数量:2500

典型关闭延迟时间:24 ns

典型接通延迟时间:12 ns

零件号别名:SI4953DY_NL

单位重量:85 mg

供应商SI4953DY
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SI4953DYDual P-Channel 30-V(D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO43.32 Kbytes共4页SI4953DY的PDF下载地址SI4953ADY,SI7943DP,AF4901P,SI4925BDY,SI4923DY,SI4947ADY,SI7941DP,SI6991DQ,SI6543DQ,SI4947DY
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