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SI4936CDY-T1-E3 /MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
SI4936CDY-T1-E3的规格信息
SI4936CDY-T1-E3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:5.8 A

Rds On-漏源导通电阻:40 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:9 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.3 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:Reel

系列:SI4

晶体管类型:2 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:15 S

下降时间:11 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:13 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:16 ns

典型接通延迟时间:12 ns

单位重量:74 mg

供应商SI4936CDY-T1-E3
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