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SI4953ADY-T1-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI4953ADY-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:1

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:TrenchFET®

包装:剪切带(CT)

FET 类型:2 个 P 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.7A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):53 毫欧 @ 4.9A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA(最小)

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):25nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):-

功率 - 最大值:1.1W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SO

其它名称:SI4953ADY-T1-GE3CT

供应商SI4953ADY-T1-GE3
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SI4953ADY-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 3.9A 2.0W 53mohm @ 10V1+:¥5.51
10+:¥4.22
50+:¥3.94
100+:¥3.71
500+:¥3.11
2500+:¥2.541+:¥4.78
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