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SI4936DY / MOSFET 30V 5.8A 2W
SI4936DY的规格信息
SI4936DY的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

Id-连续漏极电流:5.8 A

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Rds On-漏源导通电阻:37 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

商标:Vishay / Siliconix

通道模式:Enhancement

配置:Dual

下降时间:24 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:10 ns

工厂包装数量:100

典型关闭延迟时间:27 ns

典型接通延迟时间:10 ns

单位重量:85 mg

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