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SI4936BDY-T1-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI4936BDY-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:2,500

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.9A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):35 毫欧 @ 5.9A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):530pF @ 15V

功率 - 最大值:2.8W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SO

供应商SI4936BDY-T1-GE3
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现代芯城(深圳)科技有限公司SI4936BDY-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司SI4936BDY-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI4936BDY-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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深圳市科思奇电子科技有限公司SI4936BDY-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
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张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
集好芯城SI4936BDY-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市宇浩扬科技有限公司SI4936BDY-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市赛美科科技有限公司SI4936BDY-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市毅创腾电子科技有限公司SI4936BDY-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SI4936BDY-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
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深圳市惊羽科技有限公司SI4936BDY-T1-GE3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
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北京显周科技有限公司SI4936BDY-T1-GE3北京市海淀区西三旗沁春家园1号楼、2号楼、3号楼2层201-2036010-85525361
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SI4936BDY-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品2500+:¥3.871+:¥5.3301
10+:¥4.27
100+:¥3.28
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1000+:¥2.83
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SI4936BDY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC$1.38000
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Mouser 贸泽电子
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2,500:¥4.2714
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Mouser 贸泽电子
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