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SI4944DY / MOSFET
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:9.3 A

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Rds On-漏源导通电阻:9.5 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.3 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOIC-Narrow-8

商标:Vishay / Siliconix

通道模式:Enhancement

配置:Dual

下降时间:10 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:10 ns

典型关闭延迟时间:40 ns

典型接通延迟时间:10 ns

供应商SI4944DY
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现代芯城(深圳)科技有限公司SI4944DY-T1-E3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI4944DY-T1-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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深圳市坤融电子有限公司SI4944DY-T1-E3航都大厦10I0755-23990975
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI4944DY深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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深圳市高捷芯城科技有限公司SI4944DY-T1-E3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SI4944DY广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SI4944DY-T1-E3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市宇浩扬科技有限公司SI4944DY-T1-E3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市辉华拓展电子有限公司SI4944DY-T1-E3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市惊羽科技有限公司SI4944DY-T1-E3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
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深圳市金华微盛电子有限公司SI4944DY-T1-E3深圳市福田区中航路新亚洲2期N4A13113510157626
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深圳市威雅利发展有限公司SI4944DY-T1-E3华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
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SI4944DYDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO69.61 Kbytes共5页SI4944DY的PDF下载地址SI4830DY,SI6954DQ,SI4804DY,SI5902DC,SI4834DY,SI4926DY,SI4816DY,SI4828DY,AF4910,SI4808DY
SI4944DY-T1Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO69.61 Kbytes共5页SI4944DY-T1的PDF下载地址SI4830DY,SI6954DQ,SI4804DY,SI5902DC,SI4834DY,SI4926DY,SI4816DY,SI4828DY,AF4910,SI4808DY
SI4944DY-T1-E3N-Channel 0-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1004.53 Kbytes共9页SI4944DY-T1-E3的PDF下载地址
SI4944DY-T1-GE3MOSFET 2N-CH 30V 9.3A 8-SOICVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO83.84 Kbytes共6页SI4944DY-T1-GE3的PDF下载地址
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SI4944DY-T1Vishay Semiconductors- Tape and Reel价格未公开
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SI4944DYVBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):4.1W(Tc) 类型:N沟道1+:¥2.29
10+:¥1.69
30+:¥1.58
100+:¥1.323
500+:¥1.278
1000+:¥1.26