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SI4944DY-T1 / MOSFET
SI4944DY-T1的规格信息
SI4944DY-T1的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:9.3 A

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Rds On-漏源导通电阻:9.5 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.3 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOIC-Narrow-8

封装:Reel

商标:Vishay / Siliconix

通道模式:Enhancement

配置:Dual

下降时间:10 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:10 ns

典型关闭延迟时间:40 ns

典型接通延迟时间:10 ns

供应商SI4944DY-T1
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现代芯城（深圳）科技有限公司SI4944DY-T1-E3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI4944DY-T1-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI4944DY-T1-E3航都大厦10I0755-23990975
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深圳市科思奇电子科技有限公司SI4944DY-T1-E3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
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深圳市惊羽科技有限公司SI4944DY-T1-E3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
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SI4944DY-T1Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO69.61 Kbytes共5页SI4944DY-T1的PDF下载地址SI4830DY,SI6954DQ,SI4804DY,SI5902DC,SI4834DY,SI4926DY,SI4816DY,SI4828DY,AF4910,SI4808DY
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