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SI4946EY / MOSFET 60V 4.5A 2.4W
SI4946EY的规格信息
SI4946EY的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:否

Id-连续漏极电流:4.5 A

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Rds On-漏源导通电阻:55 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:2.4 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOIC-Narrow-8

商标:Vishay / Siliconix

通道模式:Enhancement

配置:Dual

下降时间:11 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:11 ns

工厂包装数量:100

典型关闭延迟时间:36 ns

典型接通延迟时间:13 ns

单位重量:85 mg

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SI4946EYDual N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO44.53 Kbytes共4页SI4946EY的PDF下载地址SI9948AEY,SUP75N06-08,SI7452DP,SUD15N06-90L_07,SI1970DH,SI7842DP,SI6862DQ,SI7214DN,SIA414DJ,SI4914DY
SI4946EY-T1Dual N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO44.53 Kbytes共4页SI4946EY-T1的PDF下载地址SI9948AEY,SUP75N06-08,SI7452DP,SUD15N06-90L_07,SI1970DH,SI7842DP,SI6862DQ,SI7214DN,SIA414DJ,SI4914DY
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Bristol Electronics		SI4946EYVishay Siliconix3 : $1.8
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