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SI4947DY / MOSFET 30V 3.5A 2W
SI4947DY的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:否

Id-连续漏极电流:3 A

Vds-漏源极击穿电压:- 30 V

Rds On-漏源导通电阻:85 mOhms

晶体管极性:P-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOIC-Narrow-8

商标:Vishay / Siliconix

通道模式:Enhancement

配置:Dual

下降时间:10 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:9 ns

工厂包装数量:100

典型关闭延迟时间:21 ns

典型接通延迟时间:8 ns

单位重量:85 mg

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现代芯城（深圳）科技有限公司Si4947DY-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI4947DY-T1-E3-VB深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI4947DY航都大厦10I0755-23990975
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI4947DY-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回		彭小姐Email:1138536269@qq.com询价
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SI4947DYDual P-Channel 30-V (D-S) Rated MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO43.57 Kbytes共4页SI4947DY的PDF下载地址SI4953ADY,SI7943DP,AF4901P,SI4925BDY,SI4923DY,SI7941DP,SI6991DQ,SI6543DQ,SI4947ADY,SI4921DY
SI4947DY-T1-E3Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1055.95 Kbytes共9页SI4947DY-T1-E3的PDF下载地址无
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立创商城		SI4947DYVBsemi(台湾微碧)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：35mΩ @ 6.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5W(Tc) 类型：双P沟道1+:￥1.4226
10+:￥1.0697
30+:￥1.0048
100+:￥0.94
500+:￥0.9112
1000+:￥0.897
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