制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:8 A

Rds On-漏源导通电阻:24 mOhms, 27 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V, 1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:13.3 nC, 41.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.1 W, 3.2 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SI4

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:25 S, 27 S

下降时间:7 ns, 13 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9 ns, 10 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:16 ns, 50 ns

典型接通延迟时间:5 ns, 10 ns

单位重量:506.600 mg