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SI4488DY-T1-E3/BKN /MOSFET; SOIC8 150V N-Channel Trench
SI4488DY-T1-E3/BKN的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Channel TypeN

ConfigurationQuad Drain, Triple Source

Dimensions5 x 4 x 1.55 mm

Drain Current5 A

Drain to Source On Resistance0.5 Ω

Drain to Source Voltage150 V

Fall Time15 ns

Forward Transconductance18 S

Forward Voltage, Diode1 V

Gate to Source Voltage±20 V

Height0.061" (1.55mm)

Junction to Ambient Thermal Resistance40 °C/W

Length0.196" (5mm)

Maximum Operating Temperature+150 °C

Minimum Operating Temperature-55 °C

Mounting TypeSurface Mount

Number of Elements per Chip1

Number of Pins8

Operating and Storage Temperature-55 to +150 C

Package TypeSO-8

PolarizationDual N-Channel

Power Dissipation1.4 W

SeriesSI44 Series

Temperature Operating Range-55 to +150 °C

Total Gate Charge36 nC

Turn Off Delay Time33 ns

Turn On Delay Time18 ns

Typical Gate Charge @ Vgs35 nC @ 75 V

Voltage, Breakdown, Drain to Source150 V

Width0.157" (4mm)

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