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SI4490DY / MOSFET 200V 4A 3.1W
SI4490DY的规格信息
SI4490DY的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Vishay / Siliconix

Id-连续漏极电流:2.85 A

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Rds On-漏源导通电阻:80 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.56 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:20 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:20 ns

工厂包装数量:100

商标名:TrenchFET

典型关闭延迟时间:32 ns

典型接通延迟时间:14 ns

单位重量:85 mg

供应商SI4490DY
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现代芯城(深圳)科技有限公司SI4490DY-T1-E3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI4490DY-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司Si4490DY航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司SI4490DY深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI4490DY-T1-E3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049
陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司SI4490DY-T1-E3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779
林炜东,林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SI4490DY-T1-E3深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
13332931905
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深圳市斌腾达科技有限公司SI4490DY-T1-E3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113
赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
集好芯城SI4490DY-T1-E3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
集好芯城SI4490DY深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783
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深圳市辉华拓展电子有限公司SI4490DY-T1-E3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392
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深圳市德州众泰科技有限公司SI4490DY-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82575351
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深圳市芯泽盛世科技有限公司SI4490DY-T1-E3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市高捷芯城科技有限公司SI4490DY-T1-E3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
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深圳诚思涵科技有限公司SI4490DY深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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芯莱德电子(香港)有限公司SI4490DY-T1-E3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市科思奇电子科技有限公司SI4490DY上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”
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深圳市辰芯伟业科技有限公司Si4490DY-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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深圳市宇浩扬科技有限公司SI4490DY-E3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SI4490DY-T1-E3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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SI4490DYN-Channel 200-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO199.07 Kbytes共4页SI4490DY的PDF下载地址
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SI4490DY_06N-Channel 200-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO199.07 Kbytes共4页SI4490DY_06的PDF下载地址
SI4490DY_13N-Channel 200-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO234.37 Kbytes共8页SI4490DY_13的PDF下载地址
SI4490DY-HFN-Channel MOSFET KEXIN[Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]KEXIN[Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]的LOGO1722.13 Kbytes共4页SI4490DY-HF的PDF下载地址
SI4490DY-T1N-Channel 200-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO44.78 Kbytes共4页SI4490DY-T1的PDF下载地址SUM09N20-270,VN2001L,SUP57N20-33,SUM16N20-125,SI7450DP,SI3422DV,SI2320DS,SUD19N20-90,SI4464DY,SUM27N20-78
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SI4490DY-T1-E3MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SOVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO159.94 Kbytes共7页SI4490DY-T1-E3的PDF下载地址
SI4490DY-T1-E3连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.85A 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA(最小) 漏源导通电阻:80mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.56W 类型:N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO159.43 Kbytes共7页SI4490DY-T1-E3的PDF下载地址
SI4490DY-T1-E3SI4490DY-T1-E3 N-channel MOSFET Transistor; 2.8 A; 200 V; 8-Pin SOICSiliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO77.36 Kbytes共5页SI4490DY-T1-E3的PDF下载地址
SI4490DY-T1-GE3MOSFET 200V Vds 20V Vgs SO-8Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO163.50 Kbytes共7页SI4490DY-T1-GE3的PDF下载地址
SI4490DY-T1-GE3MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SOVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO159.94 Kbytes共7页SI4490DY-T1-GE3的PDF下载地址
SI4490DY的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
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Allied Electronics
SI4490DY-T1-E3Siliconix / VishaySI4490DY-T1-E3 N-channel MOSFET Transistor; 2.8 A; 200 V; 8-Pin SOIC+2500:$2.15
+5000:$2.09
+7500:$2.00
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Arrow(艾睿)
SI4490DY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 200V 4A 3.1W1+:¥12.2199
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Arrow(艾睿)
SI4490DY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 200V 4.0A 3.1W 80mohm @ 10V1+:¥12.2199
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SI4490DYVishay Siliconix价格未公开
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SI4490DY-T1Vishay Intertechnologies224 : $0.384
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SI4490DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO$2.00000
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SI4490DY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 200V 4A 3.1W1+:¥12.2199
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Mouser 贸泽电子
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500+:¥5.55
1000+:¥4.1999
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SI4490DY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 200V 4.0A 3.1W 80mohm @ 10V1+:¥12.2199
10+:¥11.04
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SI4490DY-T1-E3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.85A 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA(最小) 漏源导通电阻:80mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.56W 类型:N沟道1+:¥13.42
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