FET 类型:N 和 P 沟道
FET 功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.2A,4.6A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):14.5 毫欧 @ 9.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):18nC @ 4.5V
功率 - 最大值:1.1W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SO
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs