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SI4539DY-T1 / Trans MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.9A 8-Pin SOIC N T/R
SI4539DY-T1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

最大门源电压:±20

欧盟RoHS指令:Not Compliant

最高工作温度:150

通道模式:Enhancement

标准包装名称:SOIC

最低工作温度:-55

渠道类型:N|P

封装:Tape and Reel

最大漏源电阻:37@10V@N Channel|53@10V@P Channel

最大漏源电压:30

每个芯片的元件数:2

供应商封装形式:SOIC N

最大功率耗散:2000

最大连续漏极电流:5.8@N Channel|4.9@P Channel

引脚数:8

铅形状:Gull-wing

供应商SI4539DY-T1
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现代芯城(深圳)科技有限公司Si4539DY-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI4539DY-T1-E3-VB深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市微碧半导体有限公司SI4539DY-T1-E3-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
18118747668
许小姐Email:Reeta@vbsemi.cn询价
集好芯城SI4539DY-T1深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI4539DY-T1航都大厦10I0755-23990975
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市百域芯科技有限公司SI4539DY-T1-E3世纪汇都会轩45070755-82788062
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深圳诚思涵科技有限公司SI4539DY-T1深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI4539DY-T1深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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深圳市惊羽科技有限公司Si4539DY-T1-E3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
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深圳市诺普迅电子科技有限公司Si4539DY-T1-GE3嘉汇新城汇商中心281818928437827 13079621333
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SI4539DY-T1连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W,3.2W(Tc) 类型:N沟道和P沟道VBsemi(台湾微碧)VBsemi(台湾微碧)的LOGO956.40 Kbytes共14页SI4539DY-T1的PDF下载地址
SI4539DY-T1-E3N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1232.56 Kbytes共14页SI4539DY-T1-E3的PDF下载地址
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SI4539DY-T1VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W,3.2W(Tc) 类型:N沟道和P沟道1+:¥1.4933
10+:¥1.1035
30+:¥1.0318
100+:¥0.86418
500+:¥0.83556
1000+:¥0.82143